简介

以下介绍的裸机开发均基于i.MX6 Platform SDK完成，最后的版本于2013年发布，在使用gcc9编译时会遇到一些小问题，这里不做具体介绍。所有的开发均在Ubuntu 20.04上完成。目标平台为i.MX6D/Q，大部分也适用于i.MX6S/DL，但是对于i.MX6UL/ULL会需要较大改动。

编译与下载

PlatformSDK的Makefile中已经包含了产生目标镜像的代码，直接编译即可产生可以烧写进SD卡或者通过uuu载入的镜像，SPI Flash有待研究。（uuu是代替了MfgTools的跨平台i.MX USB烧录工具，可支持i.MX6\7\8）

可以直接使用如sudo uuu application.bin的命令下载程序至RAM运行。如果需要写成脚本，可以参考如下的写法：

uuu_version 1.2.135

SDP: boot -f path_to_the_application.bin
SDP: done

如果需要使用JTAG下载，则需要单独编写初始化DDR内存的初始化脚本，暂未进行测试。

串口

在EVK上默认调试串口为UART4，如果实际使用的板子并非使用UART4，则需要修改成板子上对应使用的串口。定义位于board/common/hardware_modules.c中。

内存配置

DDR控制器配置位于启动镜像的DCD区域中。如果使用的内存与EVK不同，则通常需要修改DCD配置。这部分数据位于board/mx6dq/board/dcd.c中。可以考虑使用官方的Programming Aid工具和DDR Stress Test工具来产生合适的DDR控制器配置。

不同板子拥有不同的内存容量。通常会区分出一部分不可cache内存用作DMA使用。主内存映射代码位于sdk/core/src/mmu.c中，具体的DMA内存设定定义在apps/common/platform_init.c中。以下为我在1GB RAM板子上使用的内存分割方案，仅供参考：

mmu_map_l1_range(0x10000000, 0x10000000, 0x20000000, kOuterInner_WB_WA, share_attr, kRWAccess); // First 512MB
mmu_map_l1_range(0x30000000, 0x30000000, 0x20000000, kNoncacheable, kShareable, kRWAccess); // Last 512MB

注：本文内容主要在LPC5528上测试，同样适用于55S2x和55S6x，不确定将来推出的其它系列是否也会同样适用。

高速USB

高速USB需要外部晶振才能使用，外部晶振频率可以在12\16\19.2\20\24\30\32MHz之间选择。由于官方开发板使用的是16MHz的晶振，所有例程和库也是使用16MHz的。如果使用了其它频率的晶振，可以通过设置PLL_SIC寄存器修改。官方库中设置的代码位于fsl_clock.c中：

USBPHY->PLL_SIC     = (USBPHY->PLL_SIC & ~USBPHY_PLL_SIC_PLL_DIV_SEL(0x7)) | USBPHY_PLL_SIC_PLL_DIV_SEL(0x06);

其中0x06即为PLL分频器设定值。以下为可选的值：

首先复读去年的话：

大致都是一些无聊的日常？因为确实算不上是个年终总结，所以也没有必要在标题中冒充是篇总结。

至于为什么要写，因为去年写了所以今年也写一写好了。

但是关于2019年，首先放四个大字：摸得透彻。

2019年1月

去年一月的话，已经是在波士顿了，当时因为时差的原因晚上睡不着，就坐在床上用X201s写去年的流水账。起床之后，因为刚刚搬到波士顿住，家里还什么都没有，就赶紧出门办了张地铁卡，然后去超市买了些吃的。随后就是开始了全新的工作日常。

本月博文

• 2018年终流水账

嗯……去掉教程这个月只写了个流水账，毕竟啥都还没开始嘛（大概）

本月照片

去年的时候还在纠结选哪张照片才能代表一月，然而今年……其实根本没有拍多少照片所以没有什么好找的（尴尬）。以及今年所有的照片都是从手机拍摄的照片里面选的，iPhone SE弱弱摄像头也就只有这样了。照片是公司下班之后在公司门口拍的，所以其实画面下方是停着的车子。初入公司，感觉其实工作意外的顺利呢。

因为最近新坑（RP）的原因终于是有机会来点了点这个屏幕。讲一讲这个屏幕和其它之前遇到过的屏幕不一样的地方。首先屏幕是FSTN但是却是负高压。这两者本身并不冲突，只是通常而言FSTN的屏幕出现晚于STN，倾向于使用正高压而非负高压。其次是这个屏幕的扫描和行锁存分别有两个信号控制，一个为S，另外一个为CPL，目前并不清楚区别。再次是这个屏幕有一个叫CPG的信号，每一行会脉冲四次，第二次脉冲紧接着第一次，而第三次和第四次则是相隔较远。经测试该信号与PWM灰度有关，如调节第三次脉冲的位置即可调节较浅一级灰度的深度。向前会变淡，而向后会变浓。第四次脉冲则是控制较深灰度的深度。如果两个脉冲的位置不变而行长度增长，同样也会使两个灰度变淡。

刷新方法的话，这里采用MCU软件刷新。软件刷新目前的代码可以达到约153Hz的刷新率，那么为了节约电力大约有以下三种方案：

• 基准：MCU持续刷新
• 场待机：MCU刷完每一场后WFI待机，保持垂直刷新率85Hz。这种做法的问题在于MCU刷完待机期间屏幕也不显示内容，相当于占空比增加，为了达到同样亮度需要提高驱动电压，可能会带来额外的功耗开销。
• 行待机：MCU刷完每一行后WFI待机，保持水平刷新率13.6kHz，垂直刷新率85Hz。

在当前的硬件下测试结果如下：

• 基准：125mW
• 场待机：117mW
• 行待机：106mW

基本信息

• 类型：单色点阵STN
• 模式：FSTN Reflective
• 分辨率：320x320
• 灰度：2bpp
• 驱动器：不详
• 尺寸：2.6"
• 背光：无

啊 CCD味（玄学现场？